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Toshiba Develops SiC Power Module Technology for High-Frequency Inverters Used in Data Center Power Systems

By / June 12, 2026

Toshiba Develops Technology that Achieves Lower Loss and Enhanced Short-Circuit Robustness in Trench-Gate SiC MOSFETs

Toshiba Develops 6500V Press-Pack IEGT Chip with High Turn-Off and Short-Circuit Capability that will Contribute to Higher Voltage Operation and Equipment Downsizing

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